5SHY6545L0001 AC10272001R0101 5SXE10-0181 ABB 可控硅晶体模块

　　5SHY6545L0001 AC10272001R0101 5SXE10-0181 ABB 可控硅晶体模块

　　品牌：ABB

　　型号：5SHY6545L0001 AC10272001R0101 5SXE10-0181

　　产品描述

　　IGCT使变流装置在功率、可靠性、开关速度、效率、成本、重量和体积等方面都取得了进展，给电力电子成套装置带来了新的飞K跃。IGCT是将

　　GTO芯片与反并联二_极管和栅极驱动电路集成在-起，再与其栅极驱动器在外围以低电感方式连接,结合了晶体管的稳定关断能力和晶闸管低通态

　　损耗的优点，在导通阶段发挥晶闸管的性能，关断阶段呈现晶体管的特性。IGCT具有电流大、电压高、开关频率高、可靠性高、结构紧凑、损耗低

　　等特点，而且造成本低，成品率高，有很好的应用前景。采用晶闸管技术的GTO是常用的大功率开关器件，它相对于采用晶体管技术的IGBT在截止

　　电压上有更高的性能，但广泛应用的标准GTO驱动技术造成不均匀的开通和关断过程，需要高成本的dv/dt和di/dt吸收电路和较大功率的栅极驱动

　　单元，因而造成可靠性下降，价格较高，也不利于串联。但是，在大功率MCT技术尚未成熟以前，IGCT已经成为高压大功率低频交流器的优选方案。

　　IGCT与GTO相似，也是四层三端器件,GCT内部由成千个GCT组成，阳极和]极共用，而阴极并联在-起。与GTO有重要差别的是IGCT阳极内侧多

　　了缓冲层，以透明(可穿透)阳极代替GTO的短路阳极。导通机理与GTO完全-样，但关断机理与GTO完全不同，在IGCT的关断过程中，GCT能瞬

　　间从导通转到阻断状态，变成一个pnp晶体管以后再关断，所以它无外加du/dt限制;而GTO经过一个既非导通又非关断的中间不稳定状态进行

　　转换(即”GTO区”)，所以GTO需要很大的吸收电路来抑制重加电压的变化率du/dt。阻断状态下IGCT的等效电路可认为是一个基极开路、低增益pnp晶体管与栅极电源的串联。